全新原装 AO6800 30V/3.4A/双N沟道/SOT-23-6封装MOS管 场效应管
产品价格：￥1.85（人民币）
商铺名称：深圳市南北行电子发展有限公司
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商品详情
AO6800
规格信息：
标准包装：3,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（值）：60 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：235pF @ 15V
功率 - 值：1.15W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP
其它名称：785-1081-2
规格信息：
标准包装：3,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（值）：60 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：235pF @ 15V
功率 - 值：1.15W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP
其它名称：785-1081-2
AO6800采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。该装置适用于负载开关或PWM应用
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